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9 月 26 日,公司首条 12 英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞 SuperSiC 正式通线,实现从晶体生长、加工到检测环节的全线%国产化。中试线覆盖切割、减薄、倒角、研磨、抛光、清洗、检测全流程,核心设备由公司自研,性能达行业领先水平。12英寸衬底相较8英寸芯片产出量增加约2.5倍,显著降低单位成本。公司布局上虞年产30万片碳化硅衬底项目,马来西亚8英寸产业化项目,银川年产60万片8英寸衬底配套晶体项目。SiC广泛应用于新能源汽车、智能电网、5G通信及先进封装领域。公司还具备蓝宝石和培育金刚石的规模化产能,8-12英寸蓝宝石衬底已完成研发,金刚石材料处于技术突破阶段。在半导体设备方面,公司实现8-12英寸大硅片设备国产化,覆盖硅片制造、芯片制造与先进封装,并在碳化硅装备和光伏设备领域形成闭环。